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IBM成功开发32nmSOI工艺eDRA

2019/04/11 来源:开封信息港

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IBM日前宣布已成功研发出目前业内体积小、密度、速度快的32nm SOI技术动态存储芯片星力游戏下载。IBM的32nm SOI技

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IBM的32nm SOI技术相比过往标准Bulk技术将有30%的性能提升,并能够降低40%的功耗。另外,IBM还采用了内嵌动态随机存取内存(eDRAM)技术,使体积更小、存储密度更大,速度也将优于32/22nm的SRAM。据IBM称,32nm eDRAM的存储密度比22nm的SRAM高2倍压花地坪
,而比32nm的SRAM要高出4倍之多抢答器

IBM称,32nm SOI技术eDRAM是目前速度快的嵌入式存储芯片,延时循环时间低于2ns,功耗比SRAM低4倍,而出错几率更是比后者低一千倍。

IBM将会在12月举行的国际电子设备大会(IEDM)上介绍32nm及22nm eDRAM技术的更多相关细节。

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